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5e étage, Helen International Building, 778 Baoshan Road, Hongkou District, Shanghai
Shanghai gianna Technology Co., Ltd
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硫硒化钼晶体 MoSSe (disélénure de sulfure de molybdène)
晶体尺寸:~6毫米
电学性能:半导体
晶体结构:六边形
晶胞参数:取决于合金成分: a = b = 0,31 -0,33 nm et c = 1,21 -1,29 nm, α = β = 90°, γ = 120°
晶体类型:合成
晶体纯度: >99.995%

Diffraction de rayons X sur un monocristal MoSSe aligné le long du plan (001). XRD a été réalisé à température ambiante à l'aide d'un D8 Venture Bruker. Les 5 pics XRD correspondent, de gauche à droite, à (00l) avec l = 2, 4, 6, 8, 10

Diffraction aux rayons X de poudre (XRD) d'un seul cristal MoSSe. La diffraction des rayons X a été effectuée à température ambiante à l'aide d'un D8 Venture Bruker.

Analyse stoichiométrique d'un MoSSe monocristallin par spectroscopie à rayons X à dispersion énergétique (EDX).

Spectre Raman d'un seul cristal MoSSe. La mesure a été effectuée avec un système Raman de 785 nm à température ambiante.