Cristaux de séléniure de germanium (99995%) gese

NégociableMise à jour sur06/23

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Vue d'ensemble

Brève description: cristal de séléniure de germanium gese (GERMANIUM SELENIDE) taille du cristal: ~ 10 mm Propriétés électriques: structure cristalline semi - conductrice: paramètres de la Cellule du système oblique: a = 0383 nm, b = 0440 nm, c = 1078 nm, α = β = γ = 90 = 176; Type de cristal: cristal synthétique pureté: > 99995%

Détails du produit

硒化锗晶体 GeSe (sélénide de germanium)
晶体尺寸：~10毫米
电学性能：半导体
晶体结构：斜方晶系
晶胞参数： a = 0,383 nm, b = 0,440 nm, c = 1,078 nm, α = β = γ = 90°
晶体类型：合成
晶体纯度：＞99.995%

Diffraction de rayons X sur un seul cristal GeSe aligné le long du plan (100). XRD a été réalisé à température ambiante à l'aide d'un D8 Venture Bruker. Les 4 pics XRD correspondent, de gauche à droite, à (h00) avec h = 2, 4, 6, 8

Diffraction aux rayons X de poudre (XRD) d'un seul cristal GeSe. La diffraction des rayons X a été effectuée à température ambiante à l'aide d'un D8 Venture Bruker.

Analyse stoichiométrique d'un seul cristal GeSe par spectroscopie à rayons X à dispersion énergétique (EDX).

Spectre Raman d'un seul cristal GeSe. La mesure a été effectuée avec un système Raman de 785 nm à température ambiante.

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