Mose2 diséléniure de molybdène cristal

Nos cristaux MoSe2 sont cultivés en utilisant deux techniques différentes par transport chimique de vapeur (CVT) ou croissance de zone de flux (voir la description de ces deux méthodes ci-dessous). Ces cristaux sont traités comme standard d'or dans le domaine des matériaux 2D en raison du comportement optique et électronique perfectionné. Nos cristaux MoSe2 sont notoirement connus pour posséder des bandes passantes PL extrêmement étroites, afficher des spectres PL propres, pas d'épaules d'exciton liées à basses températures, une mobilité élevée des porteurs, des pics XRD extrêmement propres et pointus et une quantité négligeable de défauts (voir les résultats publiés ainsi que les méthodes basées sur CVT vs. Flux ci-dessous). Ce sont les seuls cristaux MoSe2 disponibles sur le marché avec une réponse valleytronique garantie, une PL nette et une bonne réponse électronique.

Propriétés du monocristal vdW MoSe2

La méthode de croissance est importante> Zone de flux ou méthode de croissance CVT? La contamination des halogénures et les défauts de points dans les cristaux stratifiés sont bien connues pour leur mobilité électronique réduite, la réponse anisotrope réduite, la mauvaise recombination e-h, la faible émission de PL et une absorption optique plus faible. La technique de zone de flux est une technique exempte d'halogénures utilisée pour synthétiser des cristaux vdW de qualité vraiment semi-conducteur. Cette méthode se distingue de la technique de transport chimique de vapeur (CVT) dans le sens suivant: CVT est une méthode de croissance rapide (~2 semaines) mais présente une qualité cristalline faible et la concentration de défaut atteint la plage de 1E11 à 1E12 cm-2. En revanche, la méthode de flux prend un long temps de croissance (~ 3 mois), mais assure une cristallisation lente pour une structuration atomique parfaite et une croissance de cristaux exempts d'impuretés avec une concentration de défaut aussi faible que 1E9 - 1E10 cm-2. Au cours de la vérification, indiquez simplement quel type de processus de croissance est préféré. Sauf indication contraire, 2Dsemiconductors envoie des cristaux de zone de flux comme choix par défaut.

http://meetings.aps.org/Meeting/MAR18/Session/K36.3

http://meetings.aps.org/Meeting/MAR17/Session/V1.14

Publications de ce produit

Résumé: Publications des équipes du MIT, Berkeley, Stanford, Rice et Harvard dans des revues de premier plan comme Nature, Nature Communications, Nano Letters et Advanced Materials

Contrôle de la cohérence de la vallée d'Exciton dans les monocouches de dichalcogénure de métal de transition, Phys. Rév. Lett. 117, 187401 (2016)

Mesure de la fonction diélectrique optique des dicalcogénures monocouches de métaux de transition: MoS2, MoSe2, WS2 et WSe2, Yilei Li, Alexey Chernikov, Xian Zhang, Albert Rigosi, Heather M. Hill, Arend M. van der Zande, Daniel A. Chenet, En-Min Shih, James Hone et Tony F. Heinz; Phys. Rév. B 90, 205422 (2014)

Y. Jin 'A Van Der Waals Homojunction: Ideal p–n Diode Behavior in MoSe2' Advanced Materials 27, 5534–5540 (2015)

Tongay et al. 'Defects activated photoluminescence in two-dimensional semiconductors: interaction between bound, charged, and free excitons' Scientific Reports 3, Article number: 2657 (2013)

M. Yankowitz et al. « Trouble intrinsèque dans le graphène sur les hétérostructures de dichalcogénure de métal de transition » Nano Lettres, 2015, 15 (3), pp 1925–1929

Tongay et al. Crossover thermiquement entraîné de l'indirect vers l'écart de bande direct dans les semi-conducteurs 2D: MoSe2 versus MoS2; Nano Letters, 2012, 12 (11), pp. 5576–5580

Manish Chhowalla, 'Two-dimensional semiconductors for transistors' Nature Reviews Materials 1, Article number: 16052 (2016) doi:10.1038/natrevmats.2016.52

X Li et al. 'Détermination du nombre de couches de flocons bidimensionnels de dichalcogénides de métaux de transition par l'intensité Raman des substrats' Nanotechnologie 27 (2016) 145704

L. Zhang. et al. 'Photonic-crystal exciton-polaritons in monolayer semiconductors' Nature Communications volume 9, Numéro d'article: 713 (2018)