Cristal de séléniure de gallium gase (Gallium selenide)

Contrairement à d'autres sources, nos cristaux GaSe sont les mieux adaptés aux applications électroniques et optiques dans le domaine des matériaux 2D. Nos cristaux de GaSe (séléniure de gallium) ont été synthétisés à travers trois techniques de croissance différentes, à savoir la croissance Bridgman, le transport de vapeur chimique (CVT) et la croissance de zone de flux, pour optimiser les tailles de grains et réduire les concentrations de défauts. Les grandes tailles de grains et les défauts contrôlés vous permettent de produire des monocouches grâce à un processus d'exfoliation simple avec des rendements élevés, une mobilité électronique élevée et des temps de recombination d'excitation idéaux. Par défaut, 2Dsemiconductors USA fournit des cristaux GaSe de croissance Bridgman coupés dans la direction 0001 prêts à l'exfoliation. Cependant, si votre recherche a besoin de CVT ou de GaSe cultivé en zone de flux, veuillez laisser une note lors du check-out.
Propriétés des cristaux vdW GaSe - 2Dsemiconductors Canada

La méthode de croissance est importante> Zone de flux ou méthode de croissance CVT? La contamination des halogénures et les défauts de points dans les cristaux stratifiés sont bien connues pour leur mobilité électronique réduite, la réponse anisotrope réduite, la mauvaise recombination e-h, la faible émission de PL et une absorption optique plus faible. La technique de zone de flux est une technique exempte d'halogénures utilisée pour synthétiser des cristaux vdW de qualité vraiment semi-conducteur. Cette méthode se distingue de la technique de transport chimique de vapeur (CVT) dans le sens suivant: CVT est une méthode de croissance rapide (~2 semaines) mais présente une qualité cristalline faible et la concentration de défaut atteint la plage de 1E11 à 1E12 cm-2. En revanche, la méthode de flux prend un long temps de croissance (~ 3 mois), mais assure une cristallisation lente pour une structuration atomique parfaite et une croissance de cristaux exempts d'impuretés avec une concentration de défaut aussi faible que 1E9 - 1E10 cm-2. Au cours de la vérification, indiquez simplement quel type de processus de croissance est préféré. Sauf indication contraire, 2Dsemiconductors envoie des cristaux de zone de flux comme choix par défaut.

1. Journal de Nanoelectronics et Optoelectronics Vol. 7, 1-3, 2012
2. ACS Nano, 2012, 6 (7), p. 5988-5994