I. Support Sous - jacent pour l'adaptabilité des matériaux

L'adaptabilité de l'équipement de séchage à disque découle de sa conception structurelle unique. Son composant central est une tour de séchage formée par la superposition de plateaux chauffants creux, chaque étage de plateaux pouvant être alimenté indépendamment par de la vapeur ou de l'huile conductrice de chaleur, transmettant la chaleur par conduction; Le matériau se déplace couche par couche sous la poussée de la raclette, réalisant le processus de séchage de la « couche mince uniformément chauffée + roulement dynamique». Cette conception permet la compatibilité avec de nombreuses formes et caractéristiques de matériaux:

• matériaux granulaires / en poudre (par exemple engrais, Pigments): l'épaisseur de la couche de matériau formée par la rotation du disque peut être contrôlée (généralement 2 - 10 mm), ce qui évite les agglomérats ou la dispersion;

• pâte pâteuse (par exemple boue, infusion de plantes médicinales chinoises): en ajustant la quantité d'alimentation et la vitesse de rotation du grattoir, elle empêche les parois collantes et accélère l'évaporation de l'humidité de surface;

• matériau sensible à la chaleur (si poudre de légumes, préparation enzymatique): en raison de la grande zone de transfert de chaleur, le temps de séjour est réglable (quelques minutes à plusieurs heures), combiné avec une source de chaleur à basse température (≤ 120 ℃) peut obtenir un séchage doux, réduire la perte de composants efficaces.

II. Dimensions clés de l'ajustement des paramètres

Pour s'adapter à différents matériaux, il est nécessaire d'optimiser dynamiquement autour des quatre paramètres principaux "température, vitesse de rotation, épaisseur de la couche de matériau, degré de vide":

1. Contrôle de la température: la température du milieu de chauffage doit correspondre à la résistance thermique du matériau. Par exemple, lors du séchage de matériaux sensibles à la chaleur, la pression de vapeur doit être contrôlée à 0,2 - 0,4 MPa (température du disque correspondante 80 - 100 ° c); Tandis que le séchage des minéraux inorganiques peut être amélioré à 0,6 - 0,8 MPa pour renforcer le transfert de chaleur.

2. Vitesse de rotation de la broche et fréquence de la racle: la vitesse de rotation détermine le temps de séjour du matériau (plus la vitesse de rotation est faible, plus le séjour est long). Les matériaux en pâte nécessitent une vitesse de rotation faible (3 - 5R / min) pour prolonger le temps de séchage, les matériaux granulaires peuvent être augmentés à 8 - 12r / min pour augmenter la quantité de traitement. La fréquence du grattoir doit être coordonnée avec la vitesse de rotation pour éviter que la couche de matériau trop épaisse ne provoque un « pincement» ou une réduction trop fine de l'efficacité.

3. Épaisseur de la couche de matériau: réglable par l'intermédiaire de l'alimentateur, il est généralement recommandé que la couche de matériau granulaire 5 - 8mm, le matériau pâteux 2 - 4mm, pour assurer la pénétration de la chaleur et l'équilibre du taux de diffusion de l'humidité.

4. Degré de vide (pour l'équipement de type sous vide): réduire la pression du système peut réduire le point d'ébullition de l'eau, convient aux matériaux hautement humides ou facilement oxydables (tels que les intermédiaires pharmaceutiques), chaque augmentation de 10 kPa du degré de vide, la température de séchage peut être réduite d'Environ 5 ℃.

Iii. Logique d’ajustement dynamique en pratique

Dans la production réelle, les paramètres doivent être optimisés en permanence en combinaison avec des données de surveillance en ligne (par exemple, humidité de sortie, distribution du champ de température). Par exemple, lors du traitement de matériaux fortement hygroscopiques, la vitesse de rotation du racleur peut être augmentée par étapes pour détruire la croûte dure de la peau, ce qui favorise la migration interne de l'humidité; S'il s'avère qu'une surchauffe locale provoque une pâte brûlée, vous devez abaisser le réglage de température du disque chauffant de la zone correspondante.