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Shanghai honze Technology Co., Ltd
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Conductivité thermique laser LFA 457 m

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Conductivité thermique par méthode laser lfa457microflash ® NETZSCHLFA457MicroFlash ® Représente les dernières avancées dans la technologie contemporaine de mesure par flash laser

Détails du produit

Conductivité thermique par laser LFA 457 microflash®

NETZSCH LFA 457 MicroFlash® Représente les dernières avancées dans la technologie contemporaine de mesure par flash laser. L'instrument est de type table, plage de température - 125. . 1100°c. Pour couvrir cette plage de température, deux corps de four librement commutables sont prévus.

La toute nouvelle technologie de capteur infrarouge utilisée par le système permet à l'utilisateur de mesurer la courbe d'élévation de température sur le dos de l'échantillon même à des températures basses de - 125 ° c.

L'instrument peut mesurer plusieurs échantillons plus petits en une seule montée en température à l'aide d'un commutateur d'échantillons automatique intégré, ou des échantillons plus grands individuellement (diamètre maximal de 25,4 mm).

Le système de fermeture sous vide permet à l'instrument d'effectuer des mesures dans une variété d'atmosphères sélectionnables par l'utilisateur.

La disposition verticale du porte - échantillon, du corps du four et du détecteur facilite le placement et le remplacement des échantillons tout en permettant un rapport signal / bruit optimal pour le signal de détection.

Le LFA 457 est le système LFA le plus puissant et le plus flexible pour la caractérisation de matériaux conventionnels et de nouveaux matériaux haute performance dans divers domaines, notamment la construction automobile, l'aérospatiale et les technologies énergétiques.


LFA 457 MicroFlash® - Paramètres techniques

  • Plage de température: - 125. . 500 °C, RT... 1100 °C (avec deux corps de four librement remplaçables)
  • Taux de température de levage: 0,01. .. 50 K/min
  • Énergie laser: 18,5 J / Pulse (puissance réglable)
  • À l'aide d'un détecteur infrarouge, effectuez un test sans contact du signal d'élévation de température de la surface de l'échantillon
  • Plage de coefficient de diffusion thermique: 0,01. .. 1000 mm2/s
  • Plage de conductivité thermique: 0,1. .. 2000 W/m*K
  • Diamètre de l'échantillon: 10. Cercle de 25,4 mm, soit 8 × 8 et 10 × 10 mm carrés.
  • Épaisseur de l'échantillon: 0,1. .. 6 mm
  • Support d'échantillon: carbure de silicium, graphite
  • Récipient en métal fondu: saphir
  • Récipient pour échantillon liquide: Platinum
  • Atmosphère: inerte, oxydante, réductrice, statique, dynamique
  • Système de fermeture sous vide: degré de vide 10-2 pour mbar (1 Pa)

LFA 457 MicroFlash® Schéma de structure (corps de four 1100°c)